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模擬電子技術1-4.ppt


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模擬電子技術1-4.ppt
文檔介紹:
(1-*)1.3半導體三極管★★★★★***§1.3.1基本結構§1.3.2電流放大原理§1.3.3特性曲線 一、輸入特性 二、輸出特性 三、主要參數 四、溫度影響 五、特殊三極管(1-*)1.3.3特性曲線ICmAAVVUCEUBERBIBECEB實驗線路(1-*)一、輸入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降:矽管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死區電壓,矽管0.5V,鍺管0.2V。(1-*)二、輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域滿足IC=IB稱為線性區(放大區)。當UCE大於一定的數值時,IC隻與IB有關,IC=IB。(1-*)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中UCEUBE,集電結正偏,IB>IC,UCE0.3V稱為飽和區。IB=IC,IC(1-*)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區電壓,稱為截止區。(1-*)各工作狀態偏置情況:截止放大飽和發射結<死區電壓or反偏正偏正偏集電結反偏反偏正偏(1-*)三、主要參數前麵的電路中,三極管的發射極是輸入輸出的公共點,稱為共射接法,相應地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數:工作於動態的三極管,真正的信號是疊加在直流上的交流信號。基極電流的變化量為IB,相應的集電極電流變化為IC,則交流電流放大倍數為:1.電流放大倍數和(1-*)例:UCE=6V時:IB=40A,IC=1.5mA;IB=60A,IC=2.3mA。在以後的計算中,一般作近似處理:=(1-*)2.集-基極反向飽和電流ICBOAICBOICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流,受溫度的變化影響。 內容來自淘豆網www.pxgshyyjh.com轉載請標明出處.